[1]ТехникаRUРецензированоОткрытый доступ
СОЦИАЛЬНАЯ СФЕРА ОБЩЕСТВА И СОЦИАЛЬНАЯ ПОЛИТИКА ГОСУДАРСТВА
Наука и технология в современном миреМирзаева Ширин Нодировна, Тахиров Чингиз Аъзамович +22026
РецензированоEN2021
INFLUENCE OF IMPURITY NI AND CU ATOMS ON THE ELECTROPHYSICAL PROPERTIES OF SI
PROPERTIES OF SI
American Journal Of Applied Science And Technology · 03 · 2021
Аннотация
The paper presents the results of studies of the electrophysical properties of Si, doped Ni and Cu samples. It is revealed that a decrease in the mobility of charge carriers in the temperature range of 120÷320 K is of particular importance in increasing the resistivity of samples. KEYWORDS Silicon, nickel, copper, impurity, diffusion, electrophysical properties, resistivity, concentration, mobility, Hall effect.
Доказательный фрагмент
«The paper presents the results of studies of the electrophysical properties of Si, doped Ni and Cu samples.»
Образец извлечения
Демо-превьюThe paper presents the results of studies of the electrophysical properties of Si, doped Ni and Cu samples. Полный текст публикации CiteX не хранит — доступ к первоисточнику открывается по DOI согласно лицензии издателя и выбранному плану.
- Цитирований
- 0
- Тип
- Журнал
- Страна
- Узбекистан
- Ключевые слова
- Silicon, nickel, copper, impurity, diffusion, electrophysical properties, resistivity, concentration, mobility, Hall effect
Смежные источники
[2]ТехникаENРецензированоОткрытый доступ
ADVERTISING LANGUAGE AND CONSUMER PSYCHOLOGY: LINGUISTIC FACTORS OF ECONOMIC EFFICIENCY
Международный журнал искусственного интеллектаFACTORS OF ECONOMICEFFICIENCY, Doctor of Philosophy2025
3
[3]ТехникаENРецензированоОткрытый доступ
The Use Of Short Stories In Communicative And Student-Centered Approach To Language Instruction From An Uzbek Perspective
The American Journal of Applied sciencesInstruction From An Uzbek Perspective, Kukiboeva Mahliyo Mahmudjanovna +12020
[4]МедицинаRUРецензированоОткрытый доступ
Коронавирус ассоциированная нефропатия: современный взгляд на проблему
Медицина и инновацииМ Сабиров, О Скосырева +12021