СОСТАВ И МОРФОЛОГИЯ ПОВЕРХНОСТИ Si(111) С ПОВЕРХНОСТНОЙ ПЛЕНКОЙ SiO2 РАЗНОЙ ТОЛЩИНЫ

Аннотация

The composition, morphology, and electronic structure of SiO nanofilms of 2 different thicknesses created by thermal oxidation on the Si(111) surface were studied in this work. It was shown that up to a thickness of 30-40 Å the film has an island character. At d ≥ 60 Å, a homogeneous continuous film of SiO is formed, the stoichiometric surface roughness does not 2 exceed 1.5 – 2 nm. Regardless of the thickness of the SiO films, no noticeable interdiffusion of 2 atoms is observed at the SiO -Si boundary. The patterns of changes in the composition, the degree 2 of surface coverage, and the energy of plasma oscillations were determined when the thickness of the SiO /Si(111) films varied from 20 to 120 Å. 2 Key words: thermal oxidation, nanophases, nanofilms, plasma oscillation, surface roughness, Auger peaks, Raman spectra, optical-phonon mode, island growth. СОСТАВ И МОРФОЛОГИЯ ПОВЕРХНОСТИ Si(111) С ПОВЕРХНОСТНОЙ ПЛЕНКОЙ SiO2 РАЗНОЙ ТОЛЩИНЫ Аннотация. В работе исследованы состав, морфология и электронная структура нанопленок SiO2 различной толщины, созданных термическим окислением на поверхности Si(111). Показано, что до толщины 30–40 Å пленка имеет островной характер. При d ≥ 60 Å формируется однородная сплошная пленка SiO2, стехиометрическая шероховатость поверхности не превышает 1,5 – 2 нм. Независимо от толщины пленок SiO2 заметной взаимной диффузии атомов на границе SiO2-Si не наблюдается. Определены закономерности изменения состава, степени покрытия поверхности и энергии плазменных колебаний при изменении толщины пленок SiO2/Si(111) от 20 до 120 Å. Ключевые слова: термическое окисление, нанофазы, нанопленки, плазменные колебания, шероховатость поверхности, оже-пики, спектры комбинационного рассеяния света, оптико-фононная мода, рост островков.