К содержанию
РецензированоRU2022

Джозефсоновские туннельные переходы с интегральным СИН-шунтированием

Шевченко М.С. · Филиппенко Л.В. · Киселев О.С. · Кошелец В.П.

Научные статьи · 2022

Аннотация

Посвящена исследованию туннельных джозефсоновских переходов свсрхпроводник-изолятор-сверхпроводник (СИС) с новым типом шунтирования, основанном на использовании дополнительного перехода сверхпроводник -изолятор-нормальный металл (СИН), расположенного вокруг СИС-перехода.

Доказательный фрагмент

«Посвящена исследованию туннельных джозефсоновских переходов свсрхпроводник-изолятор-сверхпроводник (СИС) с новым типом шунтирования, основанном на использовании дополнительного перехода сверхпроводник -изолятор-нормал…»

Образец извлечения

Демо-превью

Посвящена исследованию туннельных джозефсоновских переходов свсрхпроводник-изолятор-сверхпроводник (СИС) с новым типом шунтирования, основанном на использовании дополнительного перехода сверхпроводник -изолятор-нормал… Полный текст публикации CiteX не хранит — доступ к первоисточнику открывается по DOI согласно лицензии издателя и выбранному плану.

DOI не указан
Цитирований
0
Тип
Журнал
Страна
Узбекистан
Спросить CiteX об этой работе

Смежные источники