Совершенствование содержания тем по физике полупроводников через рефлексии в образовании

Аннотация

Ключевые слова: В данной статье рассматривается вопрос улучшения кремний, содержания тем о полупроводниках за счет включения полупроводник, информации о кремнии в программы высшего фоточувствительный образования. материал, полупроводниковый дозиметр, электрические весы, датчик динамического давления, тензочувствительный элемент. Uzluksiz ta’lim tizimining mazmuniy jihatiga chuqurroq qaralsa, kechagi o‘rta maktab va akademik litsey bitiruvchilari – bugungi oliy ta’limning iqtidorli talabalari va ertangi yuqori malakali – ilmiy salohiyatli mutaxassislardir. Respublikamiz uchun dolzarb vazifa – ilmiy salohiyatni ko‘tarish va yoshartirish uchun oliy ta’lim talabalariga ilmiy asoslangan, ilmiy-texnikaviy yangiliklarni o‘zida muntazam ifodalay oladigan bilimlarni izchil o‘qitishni ta’minlanishi zarur. Yil sayin tez rivojlanib, ilmiy yangiliklar zudlik bilan amaliyotga joriy etilib va talabalar uning natijalaridan foydalanuvchilar bo‘lib qolayotgan vaqtda yarimo‘tkazgichlar fizikasiga doir mavzularni izchil o‘qitilishiga erishish oliy ta’lim professor-o‘qituvchilari oldiga qo‘yilgan dolzarb vazifadir. Yarimo‘tkazgichlar fizikasi sohasida olib borilgan tadqiqotlarning tahlili shuni ko‘rsatadiki, ko‘plab tadqiqotlar kremniy ustida olib borilgan bo‘lib, yarimo‘tkazgichli asboblar va tizimlar ishlab chiqarishda eng ko‘p ishlatilayotgan modda kremniy hisoblanadi. Kremniyning bunday xossalaridan foydalanib texnikada turli tuman asbob va qurilmalar ishlab chiqarilgan. Kremniydan texnikada foydalanishda unga davriy sistemaning ko‘plab elementlari kiritilgan va turli xil natijalar olingan [1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8]. 1-jadvalda kremniyga kiritilgan element va aralashmalar, undan olingan natijalar hamda tadqiqotning ahamiyati haqida ma’lumotlar keltirilgan: 1-jadval BA’ZI ELEMENT VA ARALASHMA KIRITILGAN KREMNIYNI O‘RGANISH BO‘YICHA MA’LUMOTLAR Tadqiqot olib Element yoki Tadqiqotning № Olingan natijalar borilgan yil aralashma ahamiyati 1 Nurqo‘ziyev Osmiy Kremniyni osmiy bilan boyitish har Har xil elektr 1993 xil elektr o‘tkazuvchanlikka ega va o‘tkazuvchanlikka ega yuqori fotosezgir material olishga va yuqori fotosezgir imkon beradi. 1015 sm2 integral material olishga oqimgacha neytronlarga va 5·1018 sm2 imkon beradi. oqimgacha γ-nurlanishga bardosh berishi va yangi hosil bo‘lgan xossalari to 8000S temperaturaga bardosh berishi kuzatilgan. 35 Жамият ва инновациялар – Общество и инновации – Society and innovations Issue – 5 № 5 (2024) / ISSN 2181-1415 2 Xakimov Neytron Neytron bilan kiritma kiritilgan Neytron bilan M.1993 kremniyni 800-1250 0S kiritma kiritilgan temperaturada toblanganda, dislokatsiyali solishtirma qarshilikni taqsimlanishi kremniydan energiya hajm bo‘yicha bir xilda bo‘lishligi va quvvati yuqori uchun yetarliligi ko‘rsatildi. Nurlanish bo‘lgan ta’sirida neytron bilan kiritma ionlashtiruvchi kiritilgan dislokatsiyali kremniyda tok nurlanishni yutilgan tashuvchi zarrachalarni va ularni miqdorini yashash vaqtini kamayishi o‘lchaydigan dislokatsiyasiz neytron bilan kiritma yarimo‘tkazgichli kiritilgan kremniyga nisbatan yuqori dozimetr ekanligi aniqlandi va bu kremniyda tayyorlashdan YE +0,37 eV radiatsion sathni 4-8 iboratdir. v marta jadal hosil bo‘lishi ko‘rsatildi. Neytron bilan kiritma kiritish jarayonida tartibsiz sohalarni kremniy hajmi bo‘yicha vujudga kelishi natijasida kislorod atomlarini bir xilda taqsimlanmasligini hisobga olgan holda, shu kremniyda kechadigan jarayonlarni nazariy tasavvurlari taklif qilindi. 3 Mamad- Nikel, Har taraflama bosimda Au-Si - Tadqiqot natijalari karimov O.O. gadoliniy Sb ShB tipidpgi asboblarning VAXi asosida sezuvchi 1994 o‘rganildi va tajribada ko‘rsatilgan elementi Si asosiy o‘zgarishlar barerdagi barik namunasi bo‘lgan musbat teskari bog‘lanish effekti bilan “Elektron tarozi” va izohlandi. Si va Si “dinamik bosim namunalarining tenzosezuvchanlik o‘zgartirgichi” koeffitsiyenti tadqiqot qilingan va yaratilganligini va tenzosezuvchanlik dastlabki ularni hozirgi vaqtda namunalarga qaraganda kirindi sanoat korxonalarida kirishi hisobiga bir necha marotaba sinovdan ortishi ko‘rsatildi. o‘tayotganligi qayd qilingan. 4 Mirsagatov Marganes, Fotoo‘tkazuvchanlikni Tashqi elektr R.M. 1994 rux va regeneratsiyalash va so‘nish uzoq maydoni ta’sirida halkogenlar vaqtli jarayonlari kinetikasini chuqur markazlarda (oltingugurt, tekshirish natijasida marganes, rux va hosil bo‘luvchi Shtark effekti va kremniy selen, tellur) halkogenlar o‘zaro bog‘liq bo‘lmagan germaniy qotishmasida markazlarining qayta zaryadlanish germaniyni oshishi jarayonida kremniy va germaniy bilan bog‘liq bo‘lgan kremniy qotishmalari panjarasining qaysiki asosiy xar xil simmetriyali pozitsiyalari aro bo‘lmagan tashuvchilar tunnellanuvchi modeli taklif qilindi. rekombinatsiyasiga bir va ikki elektron qabul qilish jarayonlarini nisbatan ulushini aniqlovchi fotoo‘tkazuvchanlikni so‘nish va regeneratsiyasi dinamikasining o‘zgarishi ko‘rsatilgan. 36 Жамият ва инновациялар – Общество и инновации – Society