Научные статьиM.H.Sayidova, S.U.Pulatova2025
KREMNIY MONOKRISTALIDA NANOOBYEKTLAR HOSIL BO`LISHINING ION-IMPLANTATSIYA MIQDORIGA BOG`LIQLIGINI O`RGANISH
Arziqulov E.U · Salohiddinov F · Nurmaxammadov U.O
Современная наука и исследования · 4 · 222-225 · 2025
Аннотация
At present, ion implantation is one of the widely used methods of targeted change of surface properties of materials. The main area of application of ion implantation is introduction of impurities into semiconductor crystals. The results of experimental studies of the structure of silicon crystals after implantation with boron ions are presented. High sensitivity of the Combinatorial Light Scattering method to violations of the surface structure of semiconductor crystals is shown. The spectrometer operation is based on the method of Raman spectroscopy, or Romanov spectroscopy. Key words: Raman scattering of light, Silicon single crystal, Romanov spectroscopy, ion implantation, implantation dose. Ion implantatsiyasi past haroratli jarayon bo'lib, uning yordamida bir elementning ionlari qattiq nishonga tezlashadi va shu bilan nishonning fizik, kimyoviy yoki elektr xususiyatlarini o'zgartiradi. Ion implantatsiyasi yarimo'tkazgichli qurilmalarni ishlab chiqarishda va metallga ishlov berishda, shuningdek materialshunoslik tadqiqotlarida qo'llaniladi. Ionlar nishonning elementar tarkibini o'zgartirishi mumkin. Ion implantatsiyasi, shuningdek, ionlar nishonga yuqori energiya bilan ta'sir qilganda kimyoviy va fizik o'zgarishlarga olib keladi. Bor, fosfor yoki mishyak bilan yarimo'tkazgichlarni legerlash qilish ion implantatsiyasining keng tarqalgan qo'llanilishidir. Yarimo'tkazgichga implantatsiya qilinganida, har bir legerlash atomi silliqlangandan keyin yarimo'tkazgichda zaryad tashuvchini yaratishi mumkin. Bu uning yaqinidagi yarimo'tkazgichning o'tkazuvchanligini o'zgartiradi. Ushbu taqdim etilayotgan ish atom kuch mikroskopi (AKM) va yorug`likning kombinatsion sochilishi (YKS) metodlariga asoslangan holda kremniy monokristallida nanoo`lchamli obyektlar hosil bo`lishi o`rganilgan. Kremniy monokristallari yuzasidagi ob'ektlarning morfologiyasini o'rganish uchun AKM usuli kontakt rejimida ko'p funksiyali skanerlash atom kuch mikroskopi AFM Core 300 dan (3-rasm) foydalanildi. 1 15 9 International scientific journal ISSN: 2181-3906 «MODERN SCIENCE АND RESEARCH» 2025 VOLUME 4 / ISSUE 4 / UIF:8.2 / MODERNSCIENCE.UZ Namunalar o’lchangan laboratoriya xonalarining harorati, nisbiy namligi va atmosfera bosimi doimiy tekshirildi. Laboratoriya xonasining harorati, nisbiy namligi va atmosfera bosimi “TROTEC DL200D” turidagi yuqori aniqlikdagi universal dataloger yordamida amalga oshirildi. Tadqiqotlar 2024-yilning noyabr oyida Samarqand davlat universiteti qoshidagi muhandislik fizikasida institutning professor o`qituvchilari va “O`zbekiston milliy metrologiya instituti” DM Samarqand filiali mutaxassislari ishtirokida o`tkazildi. Kremniy namunalari yuzasining uch o'lchovli tasvirlari 1-rasmda ko'rsatilgan. 1-rasmdan ko'rinib turibdiki, har xil nano o'lchamdagi ob'ektlar sirtda aniq ajratilgan. Namunalar yuzasida hosil bo'lgan kremniy monokristallarida nano o'lchamdagi jismlar hosil bo'lishining geometrik parametrlari aniqlanadi. 1-rasm. Kremniy namunasi yuzasining uch o'lchovli AKM tasvirlari. Bizga ma’lumki, YKS metodi qattiq jismlarning tebranish spektrlarini o'rganishning informatsion usullaridan biri ekanligi ma'lum. Agar sirtga tushuvchi nurlanish kvantlarining energiyasi E bizning tajribalarimizda yarimo'tkazgich yoki dielektrikning ta’qiqlangan zonasi o kengligi E dan katta bo'lsa, namuna KDB-0,04 markali bir kristalli kremniy bo'lsa), unda g ikkilamchi nurlanish faqat o'rganilayotgan materialning sirt qatlamida (bir necha mikron) sodir bo'ladi. Sirtda YKS turli faktorlar (harorat, kuchlanish, nurlanish) ga bog`liq. YKS tarqalish zonasining intensivligi, joylashuvi va kengligi ularning o'lchamlari, turli kuchlanish va haroratlarda va turli nurlanishlarda qimmatli ma'lumotlarni beradi. Tadqiqotlar “Renishaw” (Buyuk Britaniya) kompaniyasi tomonidan ishlab chiqarilgan InVia Raman Spektrometrida o'tkazildi (2-rasm). Spektrometr YKS spektroskopik metodi yoki Romanov spektroskopiyasiga asoslangan. 1 16 0 International scientific journal ISSN: 2181-3906 «MODERN SCIENCE АND RESEARCH» 2025 VOLUME 4 / ISSUE 4 / UIF:8.2 / MODERNSCIENCE.UZ 2-rasm. “Renishaw” (Buyuk Britaniya) kompaniyasi tomonidan ishlab chiqarilgan InVia Raman Spektrometri. 3-rasm. “AFM Core 300” turidagi atom kuch mikroskopi. Biz KDB-004 turidagi (Bor bilan legirlangan, kovakli elektr o`tkazuvchanlikka ega bo`lgan, nisbiy qarshiligi 0.04 Om·sm bo`lgan kremniy) kremniyning spektrlarini o`rgandik. Uning kristallografik yo`nalishi [111] ko`rinishida bo`ladi. Namuna dastlab 5,0 × 8 × 10 mm o'lchamda kesilgan va ishlov berilgan, keyin pasta bilan silliqlangan. Ushbu operatsiyalardan so'ng, namunalar toluolda tozalangan, demonizatsiyalangan suv oqimida yuviladi. O'lchovlar xona haroratida to'lqinlar soni 50-1000 sm-1 oralig'ida amalga oshirildi. Qo'zg'atuvchi manba sifatida 532 nm to'lqin uzunligi va 50 mVt nominal quvvatga ega bo`lgan Cobolt CW 532 nm DPSS lazeridan foydalanildi. O'lchovlar davomida 1800 shtrix/mm davriga ega bo'lgan difraktsion panjara va qayd qil
Доказательный фрагмент
«At present, ion implantation is one of the widely used methods of targeted change of surface properties of materials.»
Образец извлечения
Демо-превьюAt present, ion implantation is one of the widely used methods of targeted change of surface properties of materials. Полный текст публикации CiteX не хранит — доступ к первоисточнику открывается по DOI согласно лицензии издателя и выбранному плану.
- Цитирований
- 0
- Тип
- Журнал
- Страна
- Узбекистан
- Ключевые слова
- Raman scattering of light, Silicon single crystal, Romanov spectroscopy, ion, ion-implantatsiya, Kremniy monokristalli, Yorug`likning kombinatsion sochilishi, Romanov spektroskopiyasi, implantatsiya dozasi.
Смежные источники
Общество и инновацииKhosiyat MAMATKULOVA2024
Диссертации и авторефератыYusupov Kuanıshbay Baltabayevich2026
МонографииK.J.Murodov2026