Масса носителя заряда и оптическая проводимость поляронов в расширенной модели Холстейна

Аннотация

Объекты исследования: полярон, биполярон, купраты. Цель работы: развитие модели малого полярона Холстейна с учетом даль-нодействующего электрон-фононного взаимодействия для установления возможности существования полярона с малой массой и объяснения значения массы носителя заряда, инфракрасного поглощения и высоких значений критической температуры сверхпроводящего перехода в купратных высокотемпературных сверхпроводниках. Методы исследования: метод вторичного квантования, метод преобразований Ланга-Фирсова, метод теорий возмущения, квазиклассическое приближение (метод ВКБ), принцип Франка-Кондона, неадиабатическое и адиабатическое приближения. Полученные результаты и их новизна: Развита теория конденсированного состояния, теория сильно взаимодействующих систем электронов и фононов, в частности, теория решеточных поляронов Холстейна с дальнодействующим элек-трон-фононным взаимодействием. Развита теория спаривания двух поляронов и предложена новая теория влияния внешнего давления (напряжения) на температуру Бозе-Эйнштейновской конденсации решеточных биполяронов. Практическая значимость работы заключается в возможности использования результатов для развития теории твердого тела, теории взаимодействующих электрон-фононных систем, в частности, теории решеточных поляронов Холстейна. Кроме того, с практической точки зрения, развитые методы позволяют определить массу носителя заряда в купратах, оптическую проводимость поляронов, оценить условия существования двухузельных биполяронов и критические температуры сверхпроводящего перехода, опираясь на биполяронную модель сверхпроводимости. Степень внедрения и экономическая эффективность: Работа носит фундаментальный характер, и ее результаты могут быть использованы для теоретической интерпретации результатов экспериментальных данных по эффективной массе носителей заряда в купратах, по оптическому (инфракрасному) поглощению купратов, по симметрии параметра порядка сверхпроводимости в купратах и в экспериментах по влиянию внешнего давления (напряжения) на критическую температуру сверхпроводящего перехода купратов. Область применения: физика конденсированного состояния и высокотемпературное сверхпроводниковое материаловедение.