Наука и технология в современном миреМирзаева Ширин Нодировна, Тахиров Чингиз Аъзамович +22026
Импульсное лазерное облучение светоизлучающих структур со слоем (Ga,Mn)As
Вихрова О. В. · Звонков Б. Н.
Научные статьи · 2021
Аннотация
Сочетанием методов МОС-гидридной эпитаксии и импульсного лазерного нанесения изготовлены гетеро нанострук-туры InGaAs/GaAs со слоем (Ga.M n)As на поверхности, и исследовано влияние воздействия импульсного эксимерного лазера (длина волны 248 nm, длительность импульса ~ 30 ns, плотность энергии в диапазоне 200—360mJ/cm2) на их излучательные, структурные и гальваномагнитные свойства
Доказательный фрагмент
«Сочетанием методов МОС-гидридной эпитаксии и импульсного лазерного нанесения изготовлены гетеро нанострук-туры InGaAs/GaAs со слоем (Ga.M n)As на поверхности, и исследовано влияние воздействия импульсного эксимерного…»
Образец извлечения
Демо-превьюСочетанием методов МОС-гидридной эпитаксии и импульсного лазерного нанесения изготовлены гетеро нанострук-туры InGaAs/GaAs со слоем (Ga.M n)As на поверхности, и исследовано влияние воздействия импульсного эксимерного… Полный текст публикации CiteX не хранит — доступ к первоисточнику открывается по DOI согласно лицензии издателя и выбранному плану.
Смежные источники
ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКИХ ИССЛЕДОВАНИЙЭлмурод Сотволдиевич Умаров, Зиёдбек Шавкатович Халилов +12021
МонографииЮсупова Н. А.2026
Авторефераты диссертацийKarimova Gulirano Muxtor qizi2026