К содержанию
РецензированоRU2021

Импульсное лазерное облучение светоизлучающих структур со слоем (Ga,Mn)As

Вихрова О. В. · Звонков Б. Н.

Научные статьи · 2021

Аннотация

Сочетанием методов МОС-гидридной эпитаксии и импульсного лазерного нанесения изготовлены гетеро нанострук-туры InGaAs/GaAs со слоем (Ga.M n)As на поверхности, и исследовано влияние воздействия импульсного эксимерного лазера (длина волны 248 nm, длительность импульса ~ 30 ns, плотность энергии в диапазоне 200—360mJ/cm2) на их излучательные, структурные и гальваномагнитные свойства

Доказательный фрагмент

«Сочетанием методов МОС-гидридной эпитаксии и импульсного лазерного нанесения изготовлены гетеро нанострук-туры InGaAs/GaAs со слоем (Ga.M n)As на поверхности, и исследовано влияние воздействия импульсного эксимерного…»

Образец извлечения

Демо-превью

Сочетанием методов МОС-гидридной эпитаксии и импульсного лазерного нанесения изготовлены гетеро нанострук-туры InGaAs/GaAs со слоем (Ga.M n)As на поверхности, и исследовано влияние воздействия импульсного эксимерного… Полный текст публикации CiteX не хранит — доступ к первоисточнику открывается по DOI согласно лицензии издателя и выбранному плану.

DOI не указан
Цитирований
0
Тип
Журнал
Страна
Узбекистан
Спросить CiteX об этой работе

Смежные источники

[2]ТехникаENРецензированоОткрытый доступ
RESEARCH RESULTS CLEANING GRAIN HARVEST COMBINE HARVESTER

ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКИХ ИССЛЕДОВАНИЙЭлмурод Сотволдиевич Умаров, Зиёдбек Шавкатович Халилов +12021

5