К содержанию
CiteXCiteX — научный поиск с источниками
РецензированоRU2021

Электрооптические свойства наногетеропереходов ZnSe/ZnO:O,Zn после протонного облучения

Элмуротова Д.Б. · Ибрагимова Э.М.

Научные статьи · 2021

Аннотация

Широкозонные низкоразмерные полупроводники с p-nгетеропереходом, обладающие электролюминесценцией (ЭЛ) при 300 К, своей компактностью и экономичностью заменяют лампы люминесцентные и накаливания.

Доказательный фрагмент

«Широкозонные низкоразмерные полупроводники с p-nгетеропереходом, обладающие электролюминесценцией (ЭЛ) при 300 К, своей компактностью и экономичностью заменяют лампы люминесцентные и накаливания.»

Образец извлечения

Демо-превью

Широкозонные низкоразмерные полупроводники с p-nгетеропереходом, обладающие электролюминесценцией (ЭЛ) при 300 К, своей компактностью и экономичностью заменяют лампы люминесцентные и накаливания. Полный текст публикации CiteX не хранит — доступ к первоисточнику открывается по DOI согласно лицензии издателя и выбранному плану.

DOI не указан
Цитирований
0
Тип
Журнал
Страна
Узбекистан
Спросить CiteX об этой работе

Смежные источники