Влияние сжимающих и растягивающих напряжений на электронную структуру фосфорена

Аннотация

С помощью методов теоретического моделирования проведено исследование нового перспективного полупроводникового материала — фосфорена — и определены возможности изменения величины и характера его межзонных переходов при воздействии на кристаллическую решетку этого материала сжимающих и растягивающих напряжений. Установлено, что в зависимости от величины и направления воздействия напряжений материал может быть как прямозонным, так и непрямозонным полупроводником.