К содержанию
CiteXCiteX — научный поиск с источниками
РецензированоRU2020

Теоретические основы выращивания твердых расворов Si 1-X Ge x O<x <1) методом ЖФЭ на SI - подложках и их электрофизические свойства

Сапаев Б.

Монографии · 2020

Аннотация

В монографии рассмотрены основы представления о растворимости и кристаллизации.

Доказательный фрагмент

«В монографии рассмотрены основы представления о растворимости и кристаллизации.»

Образец извлечения

Демо-превью

В монографии рассмотрены основы представления о растворимости и кристаллизации. Полный текст публикации CiteX не хранит — доступ к первоисточнику открывается по DOI согласно лицензии издателя и выбранному плану.

DOI не указан
Цитирований
0
Тип
Журнал
Страна
Узбекистан
Спросить CiteX об этой работе

Смежные источники