Фотофизические свойства тонких пленок перилена, модифицированного функциональными группами диангидрида и диимида тетракарбоновой кислоты

Аннотация

Показано, что отжиг пленок при 420 К приводит к перестройке их структуры и кристаллизации. На основе полученных спектров оптического поглощения исследуемых пленок оценена оптическая ширина запрещенной зоны. Установлена температурная зависимость темновой проводимости пленок PTCDA и N,N-DBPTCDI до и после отжига (Т = 4 2 0 К). Определены значения энергии активации ловушек носителей заряда. Проведено моделирование структуры плотности локализованных в запрещенной зоне состояний исследуемых пленок по спектрам фотопроводимости в режиме постоянного фототока.