К содержанию
РецензированоRU2021

Ab initio моделирование влияния расположения и свойств упорядоченных вакансий на магнитное состояние монослоя графена

Асадов М. М. · Мустафаева С. Н. · Гусейнова С. С. · Лукичев В. Ф. · Тагиев Д. Б.

Научные статьи · 2021

Аннотация

АЬ initio-методом псевдо потенциала в рамках DFT моделированы свойства гексагонального графена с учетом влияния вакансий, связанных с ближнеупорядоченной структурой.

Доказательный фрагмент

«АЬ initio-методом псевдо потенциала в рамках DFT моделированы свойства гексагонального графена с учетом влияния вакансий, связанных с ближнеупорядоченной структурой.»

Образец извлечения

Демо-превью

АЬ initio-методом псевдо потенциала в рамках DFT моделированы свойства гексагонального графена с учетом влияния вакансий, связанных с ближнеупорядоченной структурой. Полный текст публикации CiteX не хранит — доступ к первоисточнику открывается по DOI согласно лицензии издателя и выбранному плану.

DOI не указан
Цитирований
0
Тип
Журнал
Страна
Узбекистан
Спросить CiteX об этой работе

Смежные источники