Амплитудные зависимости диэлектрических потерь в тонкопленочном наногранулированном композите (jt)N i-(l-*)P Z T

Аннотация

При температурах Т ниже сегнетоэлектрической точки Кюри и разных напряженностях постоянного электрического поля Е изучены зависимости диэлектрических потерь tg Е,. Величина Е, уменьшается, когда Т увеличивается, а х и Е уменьшаются. Обнаруженные зависимости tg<5(E^) и Е, от Т, х и Е объясняются в рамках модели взаимодействия доменных границ с закрепляющими их точечными дефектами в сегнетоэлек триках.