К содержанию
CiteXCiteX — научный поиск с источниками
РецензированоRU2021

0 магнитометрическом определении концентрации радиационных дефектов в сверхпроводящей пленке всШагСизОт-д;

А.И. Подливае

Научные статьи · 2021

Аннотация

Предложена и обоснована экспрессная магнитометрическая методика, позволяющая определять неоднородность изменения сверхпроводящих свойств тонкого слоя сверхпроводника, обусловленную радиационным облучением. Проведено численное моделирование этой методики на примере сверхпроводящего слоя всШагСизСЪ-г, облучаемого ионами водорода и гелия. Расчет профиля концентрации радиационных дефектов проводился с использованием комплекса программ SRIM. Расчет распределения плотности сверхпроводящих токов, индуцированных внешним магнитным полем проводился в рамках модели критического состояния. Модельные расчеты показали эффективность предлагаемой методики.

Доказательный фрагмент

«Предложена и обоснована экспрессная магнитометрическая методика, позволяющая определять неоднородность изменения сверхпроводящих свойств тонкого слоя сверхпроводника, обусловленную радиационным облучением.»

Образец извлечения

Демо-превью

Предложена и обоснована экспрессная магнитометрическая методика, позволяющая определять неоднородность изменения сверхпроводящих свойств тонкого слоя сверхпроводника, обусловленную радиационным облучением. Полный текст публикации CiteX не хранит — доступ к первоисточнику открывается по DOI согласно лицензии издателя и выбранному плану.

DOI не указан
Цитирований
0
Тип
Журнал
Страна
Узбекистан
Спросить CiteX об этой работе

Смежные источники