РецензированоRU2022

Технология изготовления высококачественных туннельных переходов на основе NbAl-AINNbN

Чекушкин А. М. · Филиппенко Л. В. · Фоминский М. Ю. · Кошелец В. П.

Научные статьи · 2022

Аннотация

Представлено описание технологии изготовления туннельных переходов сверхпроводник изолятор сверхпроводник (СИС) высокого качества с предельными характеристиками

Доказательный фрагмент

«Представлено описание технологии изготовления туннельных переходов сверхпроводник изолятор сверхпроводник (СИС) высокого качества с предельными характеристиками»

Образец извлечения

Демо-превью

Представлено описание технологии изготовления туннельных переходов сверхпроводник изолятор сверхпроводник (СИС) высокого качества с предельными характеристиками Полный текст публикации CiteX не хранит — доступ к первоисточнику открывается по DOI согласно лицензии издателя и выбранному плану.

DOI не указан