К содержанию
CiteXCiteX — научный поиск с источниками
РецензированоRU2021

Диодные гетероструктуры с ферромагнитными узкозонными полупроводниками A3FeB5 разного типа проводимости

Лесников В. П. · Ведь М. В. · Вихрова О. В. · Данилов Ю. А.

Научные статьи · 2021

Аннотация

Методом импульсного лазерного нанесения в вакууме изготовлены диодные структуры с ферромагнит­ными узко зонными полупроводниками A3FeB5 в качестве только /7-области (/;-GaFcSb/>i-InGaAs i, только л-области (n-InFeSb/p-InGaAs), р- и «-областей (p-GaFeSb/;i-InFeSb, p-GaFeSb/n-InFeAs) р-л-перехода. С

Доказательный фрагмент

«Методом импульсного лазерного нанесения в вакууме изготовлены диодные структуры с ферромагнит­ными узко зонными полупроводниками A3FeB5 в качестве только /7-области (/;-GaFcSb/>i-InGaAs i, только л-области (n-InFeSb/p…»

Образец извлечения

Демо-превью

Методом импульсного лазерного нанесения в вакууме изготовлены диодные структуры с ферромагнит­ными узко зонными полупроводниками A3FeB5 в качестве только /7-области (/;-GaFcSb/>i-InGaAs i, только л-области (n-InFeSb/p… Полный текст публикации CiteX не хранит — доступ к первоисточнику открывается по DOI согласно лицензии издателя и выбранному плану.

DOI не указан
Цитирований
0
Тип
Журнал
Страна
Узбекистан
Спросить CiteX об этой работе

Смежные источники