Электронная структура термически окисленного вольфрама

Аннотация

С помощью метода фотоэлектронной спектроскопии проведены исследования in situ в сверхвысоком вакууме электронной структуры чистой поверхности вольфрама, окисленного при давлении кислорода ITorr и температуре 1000 К. Изучены спектры фотоэмиссии из валентной зоны и остовных уровней О Lv, О 2s, W 4/ при синхротронном возбуждении в диапазоне энергий фотонов 80—600 eV. Найдено, что формируется полупроводниковая пленка окисла вольфрама, которая содержит различные окислы вольфрама со степенью окисления от 6+ до 4+. На поверхности образуются в основном окислы вольфрама со степенью окисления 6+, доля которых постепенно уменьшается по мере удаления от поверхности с увеличением окислов вольфрама со степенью окисления 4+.