К содержанию
CiteXCiteX — научный поиск с источниками
РецензированоRU2021

Фотогальванические токи и электрическая неоднородность 2-0-структурированного монокристалла сегнетоэлектрика-полупроводника

А.П. Одринский

Научные статьи · 2021

Аннотация

Описаны условия эксперимента, позволившего прояснить механизм формирования электрической неоднородности кристалла TlGaSe2. Исследована эволюция аномальной реакции кристалла на фотовозбуждение и предложена интерпретация основных процессов определяющих динамику сигнала. Показано, что доминирующий вклад в развитие аномалий и формирование электрической неоднородности кристалла вносит фотогальваническая эдс. Также рассмотрено участие глубокоуровневых дефектов, как центров локализации заряда, в формировании электрической неоднородности слоистого кристалла сегнето- электрика полупроводника.

Доказательный фрагмент

«Описаны условия эксперимента, позволившего прояснить механизм формирования электрической неоднородности кристалла TlGaSe2.»

Образец извлечения

Демо-превью

Описаны условия эксперимента, позволившего прояснить механизм формирования электрической неоднородности кристалла TlGaSe2. Полный текст публикации CiteX не хранит — доступ к первоисточнику открывается по DOI согласно лицензии издателя и выбранному плану.

DOI не указан
Цитирований
0
Тип
Журнал
Страна
Узбекистан
Спросить CiteX об этой работе

Смежные источники