Особенности электрофизических свойств гетеропереходов n-GaAs-p-(GaAs) 1 – x – у (Ge 2 ) x (ZnSe) y

Аннотация

Определены оптимальные технологические условия выращивания многокомпонентных эпитаксиальных пленок твердых растворов (GaAs) 1 – x – у(Ge2)x(ZnSe) с заданными физическими свойствами методом жидкофазной эпитаксии. Установлено, что наиболее оптимальными являются приведенные условия выращивания тонких пленок из оловянного раствора-расплава в диапазоне значений температуры 730–630, 650–550 °С со скоростью охлаждения подложки 1 град/мин. При этом пленки имели толщину 10 мкм и p-тип проводимости. Для омических контактов к таким полупроводниковым твердым растворам использованы Sn, Au, In, сплавы (In–Ga) и (Ge–Ag). Определено, что подвижность носителей тока зависит от состава, структурного совершенства эпитаксиальных слоев и энергии ионизации атомов составляющих компонентов, которые имеют значения 0,19, 0,07, 0,029 эВ. Установлено, что в гетероструктурах типа n-GaAs-p-(GaAs)1 – x – у(Ge2)x(ZnSe)y полученных при температуре 750 °С токопрохождение определяется туннельно-рекомбинационным зарядом, а в образцах, полученных при температуре 730 °С – токами ограниченными объемными зарядами.