СТРУКТУРА, МОРФОЛОГИЯ И ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ n-GaAs–p-(GaAs) 1–x (Ge 2 ) х

Аннотация

Изучены структурные свойства тонкопленочных твердых растворов (GaAs) 1–х (Ge 2 ) x , выращенных методом жидкофазной эпитаксии на подложках монокристаллов GaAs. Полученные эпитаксиальные слои имели толщину 10 мкм и удельное сопротивление 0,17 Ом · см p-типа проводимости. Рентгенографический анализ показал, что полученные пленки являются монокристаллическими с нановключениями примесных атомов и дефектов решетки размерами до 49 нм и кристаллографической ориентацией (100), имеют сфалеритную структуру типа ZnS.