[1]ПедагогикаUZРецензированоОткрытый доступ
MAXSUS KIYIM MATERIALLARINING TERMO-FIZIK PARAMETRLARINI ANIQLOVCHI OMILLAR
Научные статьиM.H.Sayidova, S.U.Pulatova2025
14
РецензированоEN2023
Electron eigenvalues in quantum well of AlAs/InxGa1−xAs/AlAs heterostructures with InAs nanoinserts
Baymatov P. · Abdulazizov B. · Tokhirjonov M.
Научные статьи · 2023
Аннотация
The development of epitaxial growth technology has led to the possibility of obtaining multilayer structures from various semiconductor compounds. Depending on the composition sequence, a complex quantum well can form in the heterostructure.
Доказательный фрагмент
«The development of epitaxial growth technology has led to the possibility of obtaining multilayer structures from various semiconductor compounds.»
Образец извлечения
Демо-превьюThe development of epitaxial growth technology has led to the possibility of obtaining multilayer structures from various semiconductor compounds. Полный текст публикации CiteX не хранит — доступ к первоисточнику открывается по DOI согласно лицензии издателя и выбранному плану.
Смежные источники
[2]ПедагогикаRUРецензированоОткрытый доступ
Допустимость доказательств в уголовном процессе: анализ зарубежного опыта
Общество и инновацииKhosiyat MAMATKULOVA2024
[3]ПедагогикаENРецензированоОткрытый доступ
IMPROVING THE METHODOLOGY OF TEACHING NATURAL SCIENCES BASED ON INTERACTIVE TECHNOLOGIES (WITH FOCUS ON 7TH GRADE PHYSICS IN UZBEKISTAN)
Академические исследования в современной наукеKhudaiberdiyeva Arafat Israilovna, Ph.D Professor hudayberdiyevaarofat@gmail.com +12026
[4]ПедагогикаRUРецензированоОткрытый доступ
MAYDA IFLOSLIKLARDAN TOZALASH JARAYONIDA KOLOSNIKLI PANJARADA РАХТА BOʻLAKCHALARINING HARAKATINI TAHLILI
Научные статьиI.B.Yangiboyev, E.X.Berdanov +22025
7