Расчет уровней Ландау и энергии циклотронного перехода электронов в квантовой яме InAs/AlSb

Аннотация

В последние годы значительно увеличивается количество исследований, проводимых на наноразмерных полупроводниковых гетероструктурах. На основе гетероструктур, таких как InAs/AlSb, в которых подвижность электронов высокая, создаются электронные приборы нового поколения, например, лазеры работающие в дальнем инфракрасном диапазоне [1-11].