К содержанию
РецензированоRU2023

Сверхвысокочастотная обработка карбидкремниевых диодов шоттки Au-TiB x-n-SiC 6H

А.Б. Камалов · С.К. Абдижалиев

Научные статьи · 2023

Аннотация

В данной статье представлены результаты исследования по влиянию сверхвысокочастотная излучений на электрофизические свойства диодных структур с барьером Шоттки на основе карбида кремния.

Доказательный фрагмент

«В данной статье представлены результаты исследования по влиянию сверхвысокочастотная излучений на электрофизические свойства диодных структур с барьером Шоттки на основе карбида кремния.»

Образец извлечения

Демо-превью

В данной статье представлены результаты исследования по влиянию сверхвысокочастотная излучений на электрофизические свойства диодных структур с барьером Шоттки на основе карбида кремния. Полный текст публикации CiteX не хранит — доступ к первоисточнику открывается по DOI согласно лицензии издателя и выбранному плану.

DOI не указан
Цитирований
0
Тип
Журнал
Страна
Узбекистан
Спросить CiteX об этой работе

Смежные источники