Влияние магнитных частиц Со-СоО на свойства электропереноса в однослойном графене

Аннотация

Электрохимическое осаждение кобальта на однослойный CVD-графен приводит к формированию композиционных структур Со-СоО/графен, что вызывает увеличение электросопротивления и магнетосопротивления.Показано, что магнеторезистивный эффект обусловлен двумя конкурирующими вкладами — отрицательным (ОМР) и положительным (ПМР). ОМР в малых магнитных полях описывается локализационной квантовой поправкой к проводимости Друде в графене. Усиление ПМР в сильных магнитных полях связывается с влиянием лоренцевого механизма в частицах Со-СоО.