Адсорбция атомов Ga и CI и молекулы GaCI на карбиде кремния: модельный подход

Аннотация

В рамках модели Халдейна-Андерсона вычислены металлическая ионная составляющие энергии адсорбции атомов Ga и С1 на С- и Si-гранях р- и n-SiC. Показано, во-первых, что во всех рассмотренных случаях величина ионного вклада превосходит величину вклада металлического. Во-вторых, при адсорбции на p-SiC энергия связи адатомов Ga больше, чем адатомов С1, тогда как при адсорбции на n-SiC имеет место обратная ситуация.