К содержанию
CiteXCiteX — научный поиск с источниками
РецензированоRU2020

Возможности характеризации кристаллических параметров структур Cdх Hg1-х Te на подложке из GaAs методом генерации на отражение второй гармоники зондирующего излучения

М.Ф. Ступак · Н.Н. Михайлов и др

Научные статьи · 2020

Аннотация

Представлены сравнительные результаты численного моделирования и эксперимента при регистрации азимутальных угловых зависимостей сигнала второй гармоники, отраженной от структур Cdх Hg1-х Te и подложек GaAs, при нормальном падении на образец зондирующего лазерного излучения и азимутальном вращении плоскости его поляризации.

Доказательный фрагмент

«Представлены сравнительные результаты численного моделирования и эксперимента при регистрации азимутальных угловых зависимостей сигнала второй гармоники, отраженной от структур Cdх Hg1-х Te и подложек GaAs, при нормал…»

Образец извлечения

Демо-превью

Представлены сравнительные результаты численного моделирования и эксперимента при регистрации азимутальных угловых зависимостей сигнала второй гармоники, отраженной от структур Cdх Hg1-х Te и подложек GaAs, при нормал… Полный текст публикации CiteX не хранит — доступ к первоисточнику открывается по DOI согласно лицензии издателя и выбранному плану.

DOI не указан
Цитирований
0
Тип
Журнал
Страна
Узбекистан
Спросить CiteX об этой работе

Смежные источники