Особенности теплопереноса в гетероструктурах AlxGa1-хN/GaN на сапфире

Аннотация

Получены значения теплопроводности тонких пленок AlxGa1-хN/GaN при комнатной температуре. Концентрационная зависимость теплопроводности проанализирована с использованием модели теплопроводности виртуального кристалла. Проведено численное моделирование теплопереноса в структуре при нагреве в локальной области и предложены оптимальные размеры толщин слоев структуры для достижения высокой величины теплопроводности.