К содержанию
CiteXCiteX — научный поиск с источниками
РецензированоRU2021

Роль диффузии фотовозбужденных электронов из сильнолегированных слоев в фотопроводимости гетероструктур AlAs/GaAs

Е.Е. Вдовин · Ю.Н. Ханин

Научные статьи · 2021

Аннотация

На основе исследования фотопроводимости в p —i —«-гетероструктурах GaAs/AlAs в видимом световом диапазоне показана доминирующая роль канала диффузии фотовозбужденных электронов из сильнолегированных слоев в процессе формирования осцилляций фототока от напряжения смещения и определяющий вклад этого канала в полный ток через структуру. Рассмотрена качественная модель транспорта возбужденных носителей,предполагающая диффузионный канал как основной источник фотоосцилляций.

Доказательный фрагмент

«На основе исследования фотопроводимости в p —i —«-гетероструктурах GaAs/AlAs в видимом световом диапазоне показана доминирующая роль канала диффузии фотовозбужденных электронов из сильнолегированных слоев в процессе ф…»

Образец извлечения

Демо-превью

На основе исследования фотопроводимости в p —i —«-гетероструктурах GaAs/AlAs в видимом световом диапазоне показана доминирующая роль канала диффузии фотовозбужденных электронов из сильнолегированных слоев в процессе ф… Полный текст публикации CiteX не хранит — доступ к первоисточнику открывается по DOI согласно лицензии издателя и выбранному плану.

DOI не указан
Цитирований
0
Тип
Журнал
Страна
Узбекистан
Спросить CiteX об этой работе

Смежные источники