К содержанию
CiteXCiteX — научный поиск с источниками
РецензированоRU2021

Слабое проявление эффекта поля в структурах металл-диэлектрик-полупроводник с сегнетоэлектрическим изолирующим слоем BaxSr1-xTiO3

Д А Белорусов · Е.И. Гольдман · Г.В. Чучева

Научные статьи · 2021

Аннотация

Показано, что во всем диапазоне внешних напряжений электрическое поле в Si практически не проникает. Подтвержден сделанный ранее вывод о причинах слабого проявления эффекта поля — происходит практически полное экранирование поляризации сегнетоэлектрического слоя зарядами электронных ловушек на контакте BaxSr1-xTiO3.

Доказательный фрагмент

«Показано, что во всем диапазоне внешних напряжений электрическое поле в Si практически не проникает.»

Образец извлечения

Демо-превью

Показано, что во всем диапазоне внешних напряжений электрическое поле в Si практически не проникает. Полный текст публикации CiteX не хранит — доступ к первоисточнику открывается по DOI согласно лицензии издателя и выбранному плану.

DOI не указан
Цитирований
0
Тип
Журнал
Страна
Узбекистан
Спросить CiteX об этой работе

Смежные источники