РецензированоRU2021

Слабое проявление эффекта поля ' в структурах металл-диэлектрик-полупроводник с сегнетоэлектрическим изолирующим слоем В а ^ ^ -Д Ю з

Д А Белорусов · Е.И. Гольдман · Г.В. Чучевв

Научные статьи · 2021

Аннотация

Проведены высокочастотные измерения емкости и проводимости объектов Ni-Bao.sSro.2Ti0 3 -Pt и Ni-Bao.8Sro.2TiOj^i с толщиной сегнетоэлектрика 120 nm в параэлектрической фазе. Показано, что во всем диапазоне внешних напряжений электрическое поле в Si практически не проникает. Подтвержден сделанный ранее вывод о причинах слабого проявления эффекта поля — происходит практически полное экранирование поляризации сегнетоэлектрического слоя зарядами электронных ловушек на контакте Bao gSrcnTiCh-Si.

Доказательный фрагмент

«Проведены высокочастотные измерения емкости и проводимости объектов Ni-Bao.sSro.2Ti0 3 -Pt и Ni-Bao.8Sro.2TiOj^i с толщиной сегнетоэлектрика 120 nm в параэлектрической фазе.»