Фотолюминесценция гетероструктур CdTe/ZnTe с номинальными толщинами слоев CdTe от 1 до 8 монослоев, выращенных методом атомного наслаивания

Аннотация

Исследована люминесценция слоев CdTe с номинальной толщиной 1, 2, 4 и 8 монослоев (МС),выращенных методом атомного наслаивания в матрице ZnTe. Показано, что слои толщиной 1 и 2МС проявляют свойства однородных слоев, в то время как слои с толщиной 4 и 8МС являются планарными массивами квантовых точек (КТ). Размеры КТ и их размерная дисперсия возрастают при увеличении номинальной толщины слоя CdTe. Форма спектров возбуждения люминесценции слоя CdTe в этих образцах сильно различается.