Квантовый отклик болометра на основе структуры СИНИС с подвешенным абсорбером

Аннотация

Разработаны, изготовлены и экспериментально исследованы в THz диапазоне частот болометры на основе структуры сверхпроводник—изолятор—нормальный металл—изолятор—сверхпроводник с подвешенным над подложкой поглотителем (абсорбером). В таких структурах, в отличие от ранее исследуемых болометров с абсорбером, находящимся непосредственно на подложке, реализуется болометрический режим работы приемника, т.е. возбуждается более одного электрона на один квант излучения (квантовая эффективность больше 1).