Аb initio расчеты электронных свойств и перенос заряда в Zn1-x Cux O со структурой вюртцита

Аннотация

Установлено, что легированные медью кристаллы на основе ZnO являются прямозонными полупроводниками. Представлены результаты ab initio моделирования энергии образования дефектов в легированном медью оксиде цинка, содержащего ряд устойчивых собственных и примесных дефектов в различных зарядовых состояниях.