Локализация носителей заряда в квантовых ямах InGaN/GaN, ограниченная объемным зарядом

На зависимостях от прямого смещения интенсивности и спектрального сдвига полосы фотолюминесценции из квантовой ямы обнаруживается ряд горбов при тех же смещениях, что и ряд горбов на зависимостях прямого туннельного т… Полный текст публикации CiteX не хранит — доступ к первоисточнику открывается по DOI согласно лицензии издателя и выбранному плану.