К содержанию
CiteXCiteX — научный поиск с источниками
РецензированоRU2022

Моделирование структурных и энергетических характеристик атомов в 20-кристалле GaS с точечными дефектами

М.М. Асадов · С.Н. Мустафаева и др

Научные статьи · 2022

Аннотация

В рамках теории функционала плотности (DFT) моделированы свойства гексагонального моносульфида галлия (GaS) с учетом влияния вакансий, связанных с ближнеупорядоченной структурой. Показано, что электронное облучение монослоя GaS приводит к уменьшению проводимости за счет образования точечных дефектов.

Доказательный фрагмент

«В рамках теории функционала плотности (DFT) моделированы свойства гексагонального моносульфида галлия (GaS) с учетом влияния вакансий, связанных с ближнеупорядоченной структурой.»

Образец извлечения

Демо-превью

В рамках теории функционала плотности (DFT) моделированы свойства гексагонального моносульфида галлия (GaS) с учетом влияния вакансий, связанных с ближнеупорядоченной структурой. Полный текст публикации CiteX не хранит — доступ к первоисточнику открывается по DOI согласно лицензии издателя и выбранному плану.

DOI не указан
Цитирований
0
Тип
Журнал
Страна
Узбекистан
Спросить CiteX об этой работе

Смежные источники