К содержанию
CiteXCiteX — научный поиск с источниками
РецензированоRU1999

Механизм токопрохождения и преобразования солнечной энергии в полупроводниковых гетеро структурах с квазинепрерывным примесным спектром

Сарыбаев Л. К.

Диссертации и авторефераты · 1999

Аннотация

Во многих полупроводниковых структурах» использующих в своих конструкциях сочетание разных полупроводников, на границе раздела возникает высокоумной слой, который обычно обусловлен взаимной диффузией примесных атомов» несоответствием параметров кристаллических решеток и др». Вместе е этим» 1- слой из-за наличия большого количества примесных атомов и дефектов различного типа может иметь в запрещенной зоне квазинепрерывный примесный спектр.

Доказательный фрагмент

«Во многих полупроводниковых структурах» использующих в своих конструкциях сочетание разных полупроводников, на границе раздела возникает высокоумной слой, который обычно обусловлен взаимной диффузией примесных атомов»…»

Образец извлечения

Демо-превью

Во многих полупроводниковых структурах» использующих в своих конструкциях сочетание разных полупроводников, на границе раздела возникает высокоумной слой, который обычно обусловлен взаимной диффузией примесных атомов»… Полный текст публикации CiteX не хранит — доступ к первоисточнику открывается по DOI согласно лицензии издателя и выбранному плану.

DOI не указан
Цитирований
0
Тип
Журнал
Страна
Узбекистан
Спросить CiteX об этой работе

Смежные источники