К содержанию
CiteXCiteX — научный поиск с источниками
РецензированоRU2022

Электронно-дифракционное изучение преобразования реконструкции 6^3 на поверхности 4H-SiC(0001) в квазисвободный эпитаксиальный графен

И.С. Котоусова · С.П. Лебедев и др

Научные статьи · 2022

Аннотация

Методом дифракции быстрых электронов на отражение (ДБЭО) проведено структурное исследование преобразования реконструкции 6л/3 на поверхности подложки 4H-SiC в среде Аг с коротким временем сублимационного отжига, в квазисвободный эпитаксиальный графен, благодаря применению интерсаляции водорода на границе верхнего слоя SiC с соседним реконструированным слоем.

Доказательный фрагмент

«Методом дифракции быстрых электронов на отражение (ДБЭО) проведено структурное исследование преобразования реконструкции 6л/3 на поверхности подложки 4H-SiC в среде Аг с коротким временем сублимационного отжига, в ква…»

Образец извлечения

Демо-превью

Методом дифракции быстрых электронов на отражение (ДБЭО) проведено структурное исследование преобразования реконструкции 6л/3 на поверхности подложки 4H-SiC в среде Аг с коротким временем сублимационного отжига, в ква… Полный текст публикации CiteX не хранит — доступ к первоисточнику открывается по DOI согласно лицензии издателя и выбранному плану.

DOI не указан
Цитирований
0
Тип
Журнал
Страна
Узбекистан
Спросить CiteX об этой работе

Смежные источники