К содержанию
CiteXCiteX — научный поиск с источниками
РецензированоRU2022

Электропроводность и структурная обусловленность ионного переноса в кристаллах лангасита La3Ga5SiO14: Мn

Н.И. Сорокин · Т. Г. Головина · А.Ф. Константинова

Научные статьи · 2022

Аннотация

Методом импедансной спектроскопии изучена температурная зависимость статической электропроводности <т,и(Т) монокристалла лантан-галиевого силиката (лангасита) LajGasSiOu, активированного примесью Мп (1000 ррт). Импедансные измерения La3Ga5SiO14 (пр.гр. P32I, Z1) выполнены вдоль кристаллографических осей а (двойной оси симметрии) и с (тройной оси симметрии).

Доказательный фрагмент

«Методом импедансной спектроскопии изучена температурная зависимость статической электропроводности <т,и(Т) монокристалла лантан-галиевого силиката (лангасита) LajGasSiOu, активированного примесью Мп (1000 ррт).»

Образец извлечения

Демо-превью

Методом импедансной спектроскопии изучена температурная зависимость статической электропроводности <т,и(Т) монокристалла лантан-галиевого силиката (лангасита) LajGasSiOu, активированного примесью Мп (1000 ррт). Полный текст публикации CiteX не хранит — доступ к первоисточнику открывается по DOI согласно лицензии издателя и выбранному плану.

DOI не указан
Цитирований
0
Тип
Журнал
Страна
Узбекистан
Спросить CiteX об этой работе

Смежные источники