Ab initio расчеты электронных свойств, частотная дисперсия диэлектрических коэффициентов и край оптического поглощения монокристаллов TllnS2(Sn)

Аннотация

Представлены расчеты зонной структуры и плотности состояний для суперъячейки моноклинной сингонии THnS2 и TlInS2 (Sn) в рамках теории функционала плотности (DFT). Для корректного описания ширины запрещенной зоны (Eg) в DFT-расчетах учитывали кулоновское отталкивание, т.е. параметр Хаббарда (U ). Показано, что максимум валентной зоны и минимум зоны проводимости TlInS2 расположены в центре (точка Г) зоны Бриллюэна, что указывает к прямой энергии запрещенной зоны. Обсуждаются особенности распределения плотности электронных состояний в TlInS2 и TlInS2 (Sn). Синтезированы и затем выращены методом Бриджмена Стокбаргера монокристаллы TlInS2, легированного 0.1 mol.% оловом CninS2 (0.1 mol.% Sn))