Точечные дефекты висмута в кристаллах ТlinТе2, электрофизические и диэлектрические свойства твердых растворов

Аннотация

Комплексными методами физико-химического анализа была исследована фазовая диаграмма TlInTe2 —Bi в концентрационной области 0 —10 at.% Bi, установлена растворимость висмута в ТПпТез в количестве 5.0 at.% при комнатной температуре. Проведены исследования электрофизических и диэлектрических свойств твердых растворов (ТИпТегЬ-хВи. На примере состава (ТПпТег) i—v Bix, где * - 0.05 показано, что примеси висмута повышают значение проводимости в направлении (001), приводят к изменению типа проводимости кристалла ТИпТег с дырочной на электронную, сильно повышают значение электрической анизотропии кристалла Т11пТе2 р±./р\\ более, чем в 103 раз. Наблюдается также влияние примесей висмута на диэлектрические свойства кристаллов ТПпТег. Примеси висмута образуют барьеры на пути движения ионов таллия и повышают температуру фазового перехода в ионно-проводящую фазу (Ti): в кристаллографи-ческом направлении [001] — на 69 К , а в направлении [110] —на 87 К.