Исследование влияния ультрамалого потока мышьяка на процессы формирования наноструктур ln(As)/GaAs методом капельной эпитаксии

Аннотация

Представлены результаты исследования влияния давления мышьяка в диапазоне ультрамалых значений (10-7—10-6 Ра) на процессы модификации капель In/GaAs(001) с различным исходным размером, сформированных методом капельной эпитаксии. Экспериментально показано, что экспозиция капель в ультрамалом потоке мышьяка позволяет достичь снижения размера капель до субкритических размеров с сохранением первоначально заданной поверхностной плотности. При этом экспозиция капельных наноструктур в потоке мышьяка может сопровождаться либо только уменьшением их размера, что более характерно для капель, полученных при больших толщинах осаждения индия, либо также формированием колец по периметру исходных капель и углублений внутри колец, что более характерно для капель с меньшим исходным размером. Выявлено, что зависимость относительного объема капель, подверженных диффузионному распаду, от потока мышьяка с уменьшением их исходного размера становится все более существенной.