К содержанию
CiteXCiteX — научный поиск с источниками
РецензированоRU2001

Влияние имплантации больших доз ионов P+ и последующего отжига на состояние поверхности Si(111)

Рысбаев А. С. · Мирзаева Ф. А.

Научные статьи · 2001

Аннотация

Образцы Si имплантированные ионами фосфора, широко используются в качестве элементной базы приборов микроэлектроники.

Доказательный фрагмент

«Образцы Si имплантированные ионами фосфора, широко используются в качестве элементной базы приборов микроэлектроники.»

Образец извлечения

Демо-превью

Образцы Si имплантированные ионами фосфора, широко используются в качестве элементной базы приборов микроэлектроники. Полный текст публикации CiteX не хранит — доступ к первоисточнику открывается по DOI согласно лицензии издателя и выбранному плану.

DOI не указан
Цитирований
0
Тип
Журнал
Страна
Узбекистан
Спросить CiteX об этой работе

Смежные источники