Создание фотоприёмника инфракрасного излучения на основе кремния, легированного атомами селена

Развитие и микроэлектроники, в частности оптоэлектроники, требует полупроводниковые материалы спектральный чувствительность которых было расширена в видимой и ИК области излучения. Полный текст публикации CiteX не хранит — доступ к первоисточнику открывается по DOI согласно лицензии издателя и выбранному плану.