Влияние собственных точечных дефектов на состав пленок cdte, полученных методом хмпо

Аннотация

CdTe имеет ширину запрещенной зоны 1,46 эВ и высокий коэффициент поглощения (104*105 см'2), что является оптимальным для применения в качестве базового материала солнечных элементов [1]. Это означает, что для полного поглощения солнечного излучения достаточен тонкий слой толщиной всего несколько мкм. Однако до настоящего времени остаётся нерешенным ряд технологических проблем по получению качественных пленок [2]. В частности одной из проблем, требующих решения при создании высокоэффективных тонкопленочных солнечных элементов на основе теллурида кадмия, является получение пленок с высокой проводимостью [3]. Эту задачу можно решить с помощью собственных или несобственных точечных дефектов.