Исследование влияния давления на свойства кремния, легированного гадолинием и золотом

Аннотация

Основными процессами образования термодефектов в полупроводниках являются активация примесей, возникновение или распад электрически активных комплексов атомов примесей и дефектов, диффузия атомов с поверхности в объем кристалла или из объема к поверхности, а также распад твердого раствора примеси. Целью настоящей работы является исследование взаимодействия активного и неактивного состояний примесей золота (Аи) в кремнии (Si), выращенного по методу Чохральского с гадолинием (Gd) и без него, а также в кремнии, легированном Аи диффузией.