Исследование фотовольтаического эффекта в кремниевой структуре с двумя барьерами шоттки

Аннотация

В настоящее время представляют интерес бесшумные структуры, чувствительные в инфракрасной (ИК) области спектра, предназначенные для использования в различных информационнх сетях. Поиски путей повышения эффективности ИК фотоприемников набирают темпы, большое внимание стали уделять исследованиям фотоэлектрических характеристик структур с блокированной проводимостью и с изотипными переходами [1]. Однако в них фоточувствительность в длинноволновой области спектр.