К содержанию
CiteXCiteX — научный поиск с источниками
РецензированоUZ2022

Kremniy Tagliklari Asosida Gaas Li Quyosh Elementlari Olish Texnologiyasini Yaratish Omillari

Usmonov Jafar Isroilovich

Научные статьи · 2022

Аннотация

Epitaksial GaAs asosidagi quyosh elementlari uchun taglik sifatida polikristalli kremniy yoki kremniy keramika materialidan foydalanish imkoniyati mavjudligi keltirilgan. Polikristalli kremniyda germaniy va GaAs "bufer" qatlamlarining epitaksial o'sishi uchun yaqin masofali bug' tashish (CSVT) jarayoni ishlab chiqilgan. Epitaksial o'sishning selektiv rejimi nuqsonlarni kamaytirish va monolitik o'zaro bog'lanish potentsiali tufayli afzallik beriladi

Доказательный фрагмент

«Epitaksial GaAs asosidagi quyosh elementlari uchun taglik sifatida polikristalli kremniy yoki kremniy keramika materialidan foydalanish imkoniyati mavjudligi keltirilgan.»

Образец извлечения

Демо-превью

Epitaksial GaAs asosidagi quyosh elementlari uchun taglik sifatida polikristalli kremniy yoki kremniy keramika materialidan foydalanish imkoniyati mavjudligi keltirilgan. Полный текст публикации CiteX не хранит — доступ к первоисточнику открывается по DOI согласно лицензии издателя и выбранному плану.

DOI не указан
Цитирований
0
Тип
Журнал
Страна
Узбекистан
Спросить CiteX об этой работе

Смежные источники

[2]ТехникаENРецензированоОткрытый доступ
RESEARCH RESULTS CLEANING GRAIN HARVEST COMBINE HARVESTER

ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКИХ ИССЛЕДОВАНИЙЭлмурод Сотволдиевич Умаров, Зиёдбек Шавкатович Халилов +12021

5