К содержанию
РецензированоRU2018

Исследование свойств наноструктур ZnSe/AI20 3, полученных методом высокочастотного магнетронного напыления

М.М. Иванов · P.M. Закирова · В.Ф. Кобзиев · П.Н. Крылов · И.В. Федотова

Научные статьи · 2018

Аннотация

Представлены результаты исследования процесса синтеза наноструктур ZnSe/АЬОз по технологии, широко применяемой в производстве интегральных схем. Показано увеличение показателя преломления, размеров областей когерентного рассеяния и уменьшение ширины запрещенной зоны с ростом толщины слоев ZnSe. Для образцов с толщиной прослойки ZnSe 9 А сделано предположение о наличии соединения ZnSeCb и/или комплексного соединения ZnSe • AI2O3. Мультислойные наноструктуры с толщиной прослойки селенида цинка больше 9 А содержат нанокристаллиты ZnSe кубической сингонии.

Доказательный фрагмент

«Представлены результаты исследования процесса синтеза наноструктур ZnSe/АЬОз по технологии, широко применяемой в производстве интегральных схем.»

Образец извлечения

Демо-превью

Представлены результаты исследования процесса синтеза наноструктур ZnSe/АЬОз по технологии, широко применяемой в производстве интегральных схем. Полный текст публикации CiteX не хранит — доступ к первоисточнику открывается по DOI согласно лицензии издателя и выбранному плану.

DOI не указан
Цитирований
0
Тип
Журнал
Страна
Узбекистан
Спросить CiteX об этой работе

Смежные источники

[2]ТехникаENРецензированоОткрытый доступ
RESEARCH RESULTS CLEANING GRAIN HARVEST COMBINE HARVESTER

ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКИХ ИССЛЕДОВАНИЙЭлмурод Сотволдиевич Умаров, Зиёдбек Шавкатович Халилов +12021

5