Наука и технология в современном миреМирзаева Ширин Нодировна, Тахиров Чингиз Аъзамович +22026
Исследование свойств наноструктур ZnSe/AI20 3, полученных методом высокочастотного магнетронного напыления
М.М. Иванов · P.M. Закирова · В.Ф. Кобзиев · П.Н. Крылов · И.В. Федотова
Научные статьи · 2018
Аннотация
Представлены результаты исследования процесса синтеза наноструктур ZnSe/АЬОз по технологии, широко применяемой в производстве интегральных схем. Показано увеличение показателя преломления, размеров областей когерентного рассеяния и уменьшение ширины запрещенной зоны с ростом толщины слоев ZnSe. Для образцов с толщиной прослойки ZnSe 9 А сделано предположение о наличии соединения ZnSeCb и/или комплексного соединения ZnSe • AI2O3. Мультислойные наноструктуры с толщиной прослойки селенида цинка больше 9 А содержат нанокристаллиты ZnSe кубической сингонии.
Доказательный фрагмент
«Представлены результаты исследования процесса синтеза наноструктур ZnSe/АЬОз по технологии, широко применяемой в производстве интегральных схем.»
Образец извлечения
Демо-превьюПредставлены результаты исследования процесса синтеза наноструктур ZnSe/АЬОз по технологии, широко применяемой в производстве интегральных схем. Полный текст публикации CiteX не хранит — доступ к первоисточнику открывается по DOI согласно лицензии издателя и выбранному плану.
Смежные источники
ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКИХ ИССЛЕДОВАНИЙЭлмурод Сотволдиевич Умаров, Зиёдбек Шавкатович Халилов +12021
The American Journal of Applied sciencesUsmonova Manzura Isakovna, Umarova Nasiba Erkinovna +22021
The American Journal of Applied sciencesHydrogeological Conditions, J.X. Djumanov +22021