К содержанию
CiteXCiteX — научный поиск с источниками
РецензированоRU2018

Теоретический анализ эффекта dU/dt в тиристорных структурах на основе 4Н—SiC

С.Н. Юрков · Т.Т. Мнацаканов · А. Г. Тандоев

Научные статьи · 2018

Аннотация

На основе результатов численного моделирования проведен анализ особенностей эффекта dU/dt в тиристорных структурах на основе 4Н —SiC, связанных с реализацией в них недавно обнаруженного а-механизма включения. Показано, что одним из проявлений этого механизма является катастрофическое снижение блокируемого тиристором напряжения при увеличении температуры структуры. Обсуждены практические пути устранения обнаруженного эффекта.

Доказательный фрагмент

«На основе результатов численного моделирования проведен анализ особенностей эффекта dU/dt в тиристорных структурах на основе 4Н —SiC, связанных с реализацией в них недавно обнаруженного а-механизма включения.»

Образец извлечения

Демо-превью

На основе результатов численного моделирования проведен анализ особенностей эффекта dU/dt в тиристорных структурах на основе 4Н —SiC, связанных с реализацией в них недавно обнаруженного а-механизма включения. Полный текст публикации CiteX не хранит — доступ к первоисточнику открывается по DOI согласно лицензии издателя и выбранному плану.

DOI не указан
Цитирований
0
Тип
Журнал
Страна
Узбекистан
Спросить CiteX об этой работе

Смежные источники