К содержанию
CiteXCiteX — научный поиск с источниками
РецензированоRU2018

Влияние структуры омических контактов на характеристики GaAs/AIGaAs фотоэлектрических преобразователей

А.В. Мапевская · B.C. Калиновский · Н.Д. Ильинская · Д.А. Мапевский · Е.В. Контрош · М.З. Шварц · В. М. Андреев

Научные статьи · 2018

Аннотация

Разработана многослойная система омических контактов для GaAs/AIGaAs фотоэлектрических преобразователей излучения. Предложена и исследована технология „чернения" омических контактов с целью уменьшения коэффициента отражения оптического сигнала от поверхности многослойного контакта на основе структуры Ag/Au/Ag. Достигнуто снижение коэффициента отражения излучения от контактов более чем в 10 раз за счет чернения омических контактов.

Доказательный фрагмент

«Разработана многослойная система омических контактов для GaAs/AIGaAs фотоэлектрических преобразователей излучения.»

Образец извлечения

Демо-превью

Разработана многослойная система омических контактов для GaAs/AIGaAs фотоэлектрических преобразователей излучения. Полный текст публикации CiteX не хранит — доступ к первоисточнику открывается по DOI согласно лицензии издателя и выбранному плану.

DOI не указан
Цитирований
0
Тип
Журнал
Страна
Узбекистан
Спросить CiteX об этой работе

Смежные источники